图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BC/SBC85xALT1G Series |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 650mV @ 5mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 220 @ 2mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 频率转换 | 100MHz |
| 安装类型 | * |
| 包/盒 | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 包装材料 | * |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 |
| 安装 | Surface Mount |
| Maximum Transition Frequency | 100(Min) |
| 包装宽度 | 1.3 |
| PCB | 3 |
| 筛选等级 | Automotive |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 类型 | PNP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 引脚数 | 3 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 2.9 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 最小直流电流增益 | 420@2mA@5V |
| 包装高度 | 0.94 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 650mV @ 5mA, 100mA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 420 @ 2mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | General Purpose |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
| 身高 | 1.11mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大集电极基极电压 | -30 V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | -0.65 V |
| 最大集电极发射极电压 | -30 V |
| 集电极最大直流电流 | -100 mA |
| 最大基地发射极电压 | -5 V |
| 最大工作频率 | 100 MHz |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 宽度 | 2.64mm |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大直流集电极电流 | 0.1 A |
| 高度 | 1.11mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.65 V |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 宽度 | 2.64mm |
| 尺寸 | 3.04 x 2.64 x 1.11mm |
| 最小直流电流增益 | 125 |
| 最大集电极-基极电压 | -30 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大工作频率 | 100 MHz |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.65 V |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
| 系列 | BC858CL |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 420 at - 2 mA at - 5 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 800 at -2 mA at - 5 V |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 30 V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 技术 | Si |
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